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文章从VDMOS器件结构及工作原理入手,对VDMOS芯片生产的工艺控制难题——栅源漏电问题作了较全面的分析,描述了栅源漏电对器件的影响、常用的测试方法及问题发生的机理。以详实的理论依据和实际生产中的实验数据,归纳了影响VDMOS栅源漏电的因素及对应的工艺控制要点,总结了解决这一问题的思路及方法,供VDMOS技术工作者或其他各方面对VDMOS有一定了解的半导体技术工作者参考。