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采用密度泛函(B3P86/6-311g**)方法研究了偶极电场作用下β-ZnS发光影响,发现β-ZnS最高占据轨道(KSHOMO)与最低占据轨道(KSLUMO)能隙是1.973 9~1.467 6 eV,而采用HFSCF方法能隙大于7.789 2eV.适当强度外电场作用下β-ZnS分子的受激发射波长与实验值吻合较好,说明β-ZnS分子具有受激发射的发光特性.