【摘 要】
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用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸-硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸（PASP）对Cu的缓蚀作用.Cu在硼酸-硼砂缓冲溶液中,表面的Cu2O膜为p型半导体.当Cu所在的溶液
【机 构】
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上海电力学院能源与环境工程学院,上海大学理学院化学系
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用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸-硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸（PASP）对Cu的缓蚀作用.Cu在硼酸-硼砂缓冲溶液中,表面的Cu2O膜为p型半导体.当Cu所在的溶液中存在少量NaCl（小于0.5 g/L）时,Cu表面Cu2O膜会受轻微Cl^-掺杂但不会改变半导体性质;当溶液中存在较多NaCl（0.5—15 g/L）时,Cu2O膜会受Cl^-较严重的侵蚀,Cl^-掺杂使Cu2O膜部分转成n型;当溶液中存在大量Nacl（大于15 g/L）时,Cu2O膜完全被Cl^-掺杂而转型成n型.
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