杂质对柱形量子点系统束缚能的影响

来源 :河北师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：longyouxi

【摘要】

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在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑内建电场（BEF）效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN单量子点中杂质体系的基态能量与杂质电荷的关系,讨论了杂

【作者】

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郑冬梅王宗篪

【机构】

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三明学院物理与机电工程系

【出处】

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河北师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2009年2期

【关键词】

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GAN/ALXGA1-XN 柱形量子点杂质束缚能 GaN/AlxGa1-xN cylindrical quantum dot impurity bindin

【基金项目】

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三明学院科学研究发展基金项目（A0801/G）,三明学院物理学优势学科建设项目（YSXK0602）

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在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑内建电场（BEF）效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN单量子点中杂质体系的基态能量与杂质电荷的关系,讨论了杂质电子的束缚能随量子点的主要结构参数（量子点高度L和量子点半径R）以及杂质在量子点中不同位置的变化规律,并研究了考虑量子点内外电子有效质量失配对杂质电子束缚能的影响.

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