【摘 要】
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设计了一款适用于高压电源芯片的无片外电容快速瞬态响应型自启动低压差线性稳压器(LDO).该LDO与芯片内部基准电路形成自供电自偏置环路,节省了芯片面积,适用电压范围为3.6～16
【机 构】
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西南交通大学微电子研究所,成都,611756
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设计了一款适用于高压电源芯片的无片外电容快速瞬态响应型自启动低压差线性稳压器(LDO).该LDO与芯片内部基准电路形成自供电自偏置环路,节省了芯片面积,适用电压范围为3.6～16.0 V,输出电压为5.10V,具有功耗低、带宽宽等特点.电路采用Hspice进行仿真验证,在典型工艺角下,负载电流经100 mA/μs突变时,输出电压突变量最大为98 mV;在两种极端工艺角下,输出电压突变量最大为111 mV.环路特性仿真验证表明,该LDO带宽为3.6 MHz,3dB带宽为2.5 MHz,相位裕度约75°,片内补偿电容仅3 pF.
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