共振隧穿现象与LED失效模型的分析方法

来源 :北京大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:yijun5802382
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针对实验中发现的受静电损伤LED与共振隧穿二极管(RTD)模型有相似表现的现象,提出一种LED失效分析方法。经过500~3000V的HBM模型损伤,一部分失效LED的1-V曲线表现出类似共振隧穿二极管(RTD),正向电流呈现隧道电流的特征,证实静电损伤路径穿越了LED内量子阱,改变了内部的结构。将这种曲线与RTD做对比,并推广至其他失效曲线的分析,建立了一套通过伏安特性曲线对比方法,分析LED受损位置。这种失效模型分析方式可以不借助微观实验,直接进行判断,并可通过经验不断丰富。
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