【摘 要】
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基于tsmc0.25μm CMOS工艺,设计了一个采用数字修调技术的低温漂高PSRR带隙基准源。针对带隙基准结构中不可避免的由于工艺偏差而导致输出基准电压温度特性较差的问题,通过引
【机 构】
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中科院上海微系统与信息技术研究所,上海科技大学信息学院
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基于tsmc0.25μm CMOS工艺,设计了一个采用数字修调技术的低温漂高PSRR带隙基准源。针对带隙基准结构中不可避免的由于工艺偏差而导致输出基准电压温度特性较差的问题,通过引入额外的PTAT电流来改变流过PNP的电流,进而补偿由于工艺角变化引起的带隙基准温度系数的改变,实现低温漂基准电压源。仿真结果表明,5 V电源电压下,在-50~＋150℃,基准电压温度系数为3ppm/℃,与无数字修调的带隙基准相比,温度系数减小了5 ppm/℃。低频时电源抑制比为-90 d B,整体功耗电流约为60μA。
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