2. 您的位置
3. 首页
4. 期刊论文
5. TCE浓度对热氧化制备6H-SiC MOS特性的影响

TCE浓度对热氧化制备6H-SiC MOS特性的影响

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：leaf678

【摘 要】

：

研究了新型SiCMOS电容的制备工艺。采用干O2+CHCCl3(TCE)热氧化方法生长6H-SiCMOS氧化层。研究了TCE浓度与SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度和应力下平带电压漂移的关

【作 者】

：

李春霞 徐静平 王虎 

【机 构】

：

华中科技大学电子科学与技术系,华中科技大学电子科学与技术系武汉,430074

【出 处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

三氯乙烯 金属氧化物半导体 6H-碳化硅 trichloroethylene  MOS  6H-SiC 

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文 赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

研究了新型SiCMOS电容的制备工艺。采用干O2+CHCCl3(TCE)热氧化方法生长6H-SiCMOS氧化层。研究了TCE浓度与SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度和应力下平带电压漂移的关系,随着TCE浓度的增加,SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度先减小后增大,应力下平带电压漂移减小,得出了最佳TCE:O2浓度比。

其他文献

单壁碳纳米管阵列场效应特性的研究

单壁碳纳米管（Single-walled carbon nanotube,SWCNT）有许多异常的电特性,要完全实现其在实际电子系统中的潜在应用价值,需要在器件与电路的结合上有不断创新的方法。由于SWCNT

期刊

单壁碳纳米管阵列化学气相沉积控制转移场效应SWCNT array chemical vapour deposition（CVD） controlli

浅谈“第三地”与博物馆创意

一、“第三地”的诞生克里斯蒂安·米昆达提出了“第三地”的概念，“第三地”属于新出现的业余时间的范畴。“第一地”是指经过装修的家庭，它是19世纪的发明，家庭装饰可以表

期刊

“第三地”博物馆创意家庭装饰克里斯蒂业余时间19世纪表现自我

关于中国的报告——对中国生态博物馆的建议

“毛里齐奥·马吉是国际生态博物馆著名专家，意大利社会和经济研究所教授。2005年贵州生态博物馆国际会议后考察了贵州、内蒙古的生态博物馆。他的考察报告已刊登在会议的

期刊

生态博物馆中国国际会议考察报告经济研究所著名专家文化遗产意大利

关于博物馆景观陈列设计的表述方式——场景描述的思考

景观陈列是博物馆陈列中重要的陈列形式之一，特别是在自然博物馆的陈列中的应用更为重要。今天，随着博物馆事业的发展，越来越多的博物馆陈列应用到景观陈列，其规模日益扩大，内容也

期刊

自然博物馆陈列设计景观场景博物馆事业陈列形式展厅应用

一种低噪声高线性度CMOS上变频混频器

设计实现了一种采用开关跨导型结构的低噪声高线性度上变频混频器，详细分析了电路的噪声特性和线性度等性能参数，本振频率为900MHz。芯片采用0．18μm Mixed signal CMOS工艺实现

期刊

混频器开关跨导噪声系数三阶交调点mixer switched transconductor noise figure third-order in

表面粗化提高红光LED的光提取效率

介绍了通过出光表面粗糙化来减少全反射的方法，实验中使用化学湿法腐蚀的技术获得预计的粗糙形貌，结果给出不同参数下的光强和光辐射功率比较，器件的外量子效率得到了约29％的提高

期刊

发光二极管表面粗化磷化镓湿法腐蚀取光效率LED surface=roughening GaP wet etchning extracti

单电子晶体管的数值模拟及特性分析

在正统单电子理论的基础上，使用主方程方法，对金属隧道结组成的单电子晶体管进行了I-Vg和I-Va特性曲线的数值模拟。在单电子晶体管中，电子能否隧穿通过势垒，主要是由电子隧穿引起

期刊

单电子晶体管正统理论主方程方法single electron transistor orthodox theory master equation m

用基波平衡原理分析非线性电子网络的稳定性

对于一个非线性非保守的电子网络，根据等效推力理论，可以求出变阻尼力在一周期中贡献能量的等效平均值Df。文中在等效推力的基础上，提出基波平衡原理。若在适当端口施加正弦电压

期刊

功率平衡非线性稳定性power balance nonlinear stability

三年制男性幼师生学业心理健康现状探析：学业焦虑感及其来源——以江苏省X幼专为例

学业心理健康是三年制男性幼师生心理健康的重要构成。本研究通过问卷调查,运用统计工具分析,研究三年制男性幼师生学业焦虑感及其各种来源因素的相关性。研究结果显示:学业

期刊

三年制男幼师生学业心理健康学业焦虑感

GaAs基上的InAs量子环制备

在分子束外延系统中，利用3nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖，然后在500℃以及As2气氛中退火一分钟，制成纳米尺度的InAs量子环。这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和

期刊

砷化铟量子环分子束外延砷化铟量子点覆盖InAs quantum rings molecular beam epitaxy InAs quantum