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采用强流脉冲离子束(High-intensity pulsed ion beam, HIPIB)烧蚀技术在Si(100)基体上沉积类金刚石(Diamond-like carbon, DLC)薄膜, 衬底温度的变化范围为298~673 K. 利用Raman光谱和X射线光电子谱(XPS)对DLC薄膜的化学结合状态与衬底温度之间关系进行研究. 薄膜XPS的C1s谱的解谱分析得出薄膜中含有sp3C(结合能为285.5 eV)和sp2C(结合能为284.7 eV)成分, 根据解谱结果评价薄膜中sp3C含量. 根据X