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综述了ONO（氧化物一氮化物一氧化物）反熔丝、非晶硅（a-Si）反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点，介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器（PROM）和反熔丝现场可编程门阵列（FPGA）在器件应用、存储容量、可用门数、工作电压和抗辐射性能等方面的研究进展，指出了反熔丝以及反熔丝器件的4个主要发展趋势，即工艺兼容、高密度、有机／柔性和新材料。