【摘 要】
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采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1xN(x0.2)外延薄膜.生长温度为580℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件与应用重点实验室,中国科学院大学,
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采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1xN(x0.2)外延薄膜.生长温度为580℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96×1018/cm3.在富金属生长区域,Ga束流超过N的等效束流时,In组分不为零,即Ga并没有全部并入外延层;另外,稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.
InxGa1xN (x0.2) epitaxial films with In composition and high quality were grown by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy.The asymmetric diffraction of In0.19Ga0.81N thin film (10.2) with a growth temperature of 580 ℃ The FWHM of the peak is only 587 arcsec and the background electron concentration is 3.96 × 10 18 / cm 3. In the metal-rich growth region, when the Ga beam current exceeds the equivalent beam current of N, the In component is not zero, ie Ga does not have all Into the epitaxial layer; In addition, a slight increase in In beam will reduce the InGaN crystal quality.
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