论文部分内容阅读
碳化硅薄膜因其具有一系列优异的特性，被视为制作电子元件的重要材料，性能好、用途广。高质量SiC薄膜的生长，不仅有利于解决自补偿问题，而且有利于解决薄膜中存在应力和杂质等问题，对SiC薄膜的应用，特别是在微电子器件上的应用尤为关键。因此如何制作高质量的碳化硅薄膜是亟待解决的问题。为此，文中从大量试验中，找出了其主要影响因素；从衬底负偏压、工作温度和衬底温度、工作介质、射频功率、工作气压、沉积时间、Gr几个方面进行分析，得出了制备碳化硅薄膜的影响规律。