【摘 要】
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采用涡轮LP-MOCVD外延技术,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长20对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管(LED).外延片解理成300μm×300μm管芯后,在20
【机 构】
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华南师范大学量子电子学研究所MOCVD室,华?
【基金项目】
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国家科技攻关项目，广东省广州市科技攻关项目
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采用涡轮LP-MOCVD外延技术,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长20对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管(LED).外延片解理成300μm×300μm管芯后,在20mA的电流注入情况下,得到的发光波长峰值648nm,平均亮度38.9mcd,最高亮度达到49.8mcd,封装成发射角为15°的LED灯,平均亮度达到2000mcd.
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