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探究了影响偏离<111>晶向硅单晶晶体宽面的主要工艺因素,通过不同的晶体生长工艺参数设定来进行<111>晶向硅单晶生长试验,通过对比不同工艺参数对晶体宽面的影响,最终确定了控制单晶宽面的最优工艺,获得了外形大幅优化的<111>晶向硅单晶。
直拉硅单晶宽面控制工艺研究
【摘 要】
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探究了影响偏离<111>晶向硅单晶晶体宽面的主要工艺因素,通过不同的晶体生长工艺参数设定来进行<111>晶向硅单晶生长试验,通过对比不同工艺参数对晶体宽面的影响,最终确定了
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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天津科技
【发表日期】
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2017年11期
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