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在不同的应用领域，由于较大的功率和较高的频率冲击，对半导体器件的要求有很多情况下是矛盾的，因而单一器件无法解决这一矛盾。尽管过去和今后的器件类型很多，但今后的开关器件在600V以上的场合应用时，无外乎两三种：IGBT,IGCT和GTO。
在大功率应用时IGBT和IGCT的选择
【摘 要】
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在不同的应用领域，由于较大的功率和较高的频率冲击，对半导体器件的要求有很多情况下是矛盾的，因而单一器件无法解决这一矛盾。尽管过去和今后的器件类型很多，但今后的开关器件在
【机 构】
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合肥工业大学,芜湖职业技术学院
【出 处】
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芜湖职业技术学院学报
【发表日期】
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2009年2期
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