氧分压对动态离子束辅助沉积合成的氧化钛膜的影响

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dudstar

【摘要】

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采用离子束增强沉积的方法，改变氧分压，在硅基体表面制备出了不同组分及不同取向的氧化钛薄膜。采用XRD，掠角衍射以及XPS分析方法对薄膜的成分、结构和取向进行了分析，并通过RBS

【作者】

：

王向晖张峰李昌荣郑志宏陈莉芝王惠民柳襄怀

【机构】

：

中国科学院上海冶金研究所

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2001年1期

【关键词】

：

氧化钛离子束增强沉积氧分压薄膜合成 Titanium oxide Ion beam enhanced deposition Oxygen pressur

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采用离子束增强沉积的方法，改变氧分压，在硅基体表面制备出了不同组分及不同取向的氧化钛薄膜。采用XRD，掠角衍射以及XPS分析方法对薄膜的成分、结构和取向进行了分析，并通过RBS分析计算出了薄膜的O/Ti比。实验结果发现，所制备的氧化钛薄膜为具有一定择优取向的多晶膜，薄膜内TiO、Ti2O3和TiO2共同存在。当氧分压低于8.4×10－4Pa时，氧化钛薄膜的成分以TiO为主，且TiO的取向随氧分压的增加从（220）向（031）转变，氧分压对薄膜取向的影响较大。当氧分压高于8.6×10－4

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