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掺杂锰氧化物La0.9Sr0.1MnO3薄膜被直接沉积在n型硅基片上,构成p-n结.这种p-n结在很宽的温度范围内都有很好的整流特性.研究结果表明,这种p-n结的结电阻对低磁场敏感,在3×10-2T的磁场下,磁电阻可达70%.磁电阻的正负依赖于温度.磁电阻的大小可通过加在p-n结上的电压调节.
巨磁电阻材料La0.9Sr0.1 MnO3与半导体Si组成的二极管的整流特性
【摘 要】
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掺杂锰氧化物La0.9Sr0.1MnO3薄膜被直接沉积在n型硅基片上,构成p-n结.这种p-n结在很宽的温度范围内都有很好的整流特性.研究结果表明,这种p-n结的结电阻对低磁场敏感,在3×10
【机 构】
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中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2005年5期
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