【摘 要】
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用X射线光电子能谱法（XPS）对化学水浴沉积法制得的硫化镉薄膜的成分进行表征和深度剖析。用能量为2×103eV的Ar＋刻蚀3 800s,90层。对Cd3d、S2p和O1s的90个谱峰的高分辨图谱
【机 构】
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北京低碳清洁能源研究所分析测试中心,北京低碳清洁能源研究所太阳能研究中心
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用X射线光电子能谱法（XPS）对化学水浴沉积法制得的硫化镉薄膜的成分进行表征和深度剖析。用能量为2×103eV的Ar＋刻蚀3 800s,90层。对Cd3d、S2p和O1s的90个谱峰的高分辨图谱的分析和对谱峰的曲线拟合,得出以下结论：1除最外层和玻璃基底层以外的其他层中氧元素的质量分数都在6%左右,即CdS占94%左右;2欲获得均匀的CdS薄膜,需一次制备成型;3在形成CdS薄膜的诱发期主要是Cd2＋和S2-的结合形成CdS,此时并无CdO和Cd（OH）2的形成;4由于玻璃衬底的亲水性以及氨水的
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