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利用高分辨透射电镜研究了经过550℃退火处理的共溅射CoSi2非晶结构薄膜与Si基体的界面。结果表明，550℃退火后薄膜已经发生晶化转变；同时CoSi2薄膜与岛基体发生反应扩散，在界面上生成了形状规则的CoSi2化合物，并与Si基体保持着相同的位向关系或孪晶位向关系。结合以上电镜观察，对这些界面化合物的生长机制进行了讨论。