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通过优化设计量子阱结构和列阵结构，减小腔面光功率密度，避免器件腔面灾变损伤，得到1cm AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵，在热沉温度21℃，脉冲宽度200μs，重复频率100Hz时，输出峰值功率达157W。
157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵
【摘 要】
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通过优化设计量子阱结构和列阵结构，减小腔面光功率密度，避免器件腔面灾变损伤，得到1cm AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵，在热沉温度21℃，脉冲宽度200μs，重复频率100Hz时，输出峰值功率
【机 构】
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中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年期
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