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采用直流磁控溅射法在PZT基体上溅射沉积NiTiSMA薄膜,而制备出PZT基NiTiSMA/PZT异质复合材料。研究了溅射工艺参数与晶化温度对NiTiSMA薄膜相组成及SMA/PZT异质复合材料膜/基间结合状态的影响规律。结果表明,为保障NiTiSMA薄膜的晶体颗粒均匀、结构致密,膜/基间成分交换范围小及结合紧密,制备NiTiSMA/PZT异质复合材料的适宜工艺为:于基体温度150℃、氩气压强0.7Pa条件下溅射沉积NiTiSMA薄膜,再经600℃二次晶化处理。显微观察发现,NiTiSMA薄膜与PZT基体