【摘 要】
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用氢化物气相外延(HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料.透射电子显微镜(TEM)的研究结果表明,横向外延区域GaN的位错密度明显减小.由于SiO
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用氢化物气相外延(HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料.透射电子显微镜(TEM)的研究结果表明,横向外延区域GaN的位错密度明显减小.由于SiO2掩膜腐蚀角的不同(分别为90°和66°),导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌.微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成,每一条曲线有三个振动模,分别对应Si振动模式(520cm-1),E2模式(566cm-1)和E1(LO)模式(732cm-1).在垂直条纹方向,峰位和峰宽没有明显的变化,而峰强约5μm会发生周期性变化.
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