热壁外延生长GaAs薄膜的结构特征

来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhanghui1860
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该文介绍以Si和SnO2/glass两种材料为衬底,采用热壁外延方法,制得GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析薄膜的结构情况.结果表明该薄膜表面呈绒面结构、其晶粒为柱状结构,初步证明这种GaAs多晶薄膜有希望成为新一代廉价、高效太阳电池的候选材料.
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