【摘 要】
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为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构开展量子阱混杂技术研究。通过对InGaAsP量子阱结构进行不同能量P离子注
【机 构】
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中国科学技术大学纳米科学技术学院; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所先进材料研究部;
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为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构开展量子阱混杂技术研究。通过对InGaAsP量子阱结构进行不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火实现的有源区量子阱混杂技术进行研究,其基本结果采用室温光荧光(PL)谱进行表征。实验发现:不同变量变化皆可获得量子阱混杂效果,其中退火温度影响最为显著,且循环退火可进一步提高量子阱混杂效果;PL谱蓝移随着退火温度、退火时间和注入能量的增大而增大,退火温度对蓝移的影响最大,注入剂量为1×1014 ions/cm2,在注入能量为600keV、750°C二次退火150s获得最大蓝移量116nm。上述研究结果为未来单片集成光电子器件和系统奠定基础。
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