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采用Sol—gel（溶胶-凝胶）法在Si衬底上制备LaNiO3／Bi4Ti3O12（LNO／BTO）叠层薄膜，并研究了不同退火温度下BTO薄膜的生长行为和铁电、介电性能。试验表明，与单晶Si直接作衬底制备的Bi4Ti3O12薄膜相比，引入过渡层LNO降低了Bi4Ti3O12薄膜与衬底的晶格失配度，减少了热应力和外应力，缓解了薄膜龟裂的现象，而且制备出的Ag／BTO／LNO／Si异质薄膜电容具有优良的介电性质。