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应用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3：CeCl3的非晶薄膜。Ce^3＋含量和薄膜的化学成分通过X射线散射能谱（EDS）测量。薄膜试样的晶体结构用X射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。薄膜的光致发光峰是在370nm到405nm范围内，它们来自于Ce^3＋离子的5d^1激发态向基态4P的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈地依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。薄膜发光来自于氯化铈分子中的发光中心，而不是其他、的掺杂Ce^3＋离子。随铈含量增加，光致发光峰向低能方向移动，可能与薄