【摘 要】
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本文利用能量为1—3MeV、最大功率为90KW的工业用地那米型电子加速器产生的低能电子束对GaN基蓝光LED进行了电子束辐照实验，对比了辐照前后的LED颜色参数，光度参数的变化，同时对
【基金项目】
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基金项目：广西制造系统与先进制造技术重点实验室主任基金项目（09-007-05-014）
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本文利用能量为1—3MeV、最大功率为90KW的工业用地那米型电子加速器产生的低能电子束对GaN基蓝光LED进行了电子束辐照实验，对比了辐照前后的LED颜色参数，光度参数的变化，同时对实验结果进行分析和讨论。结果表明，在电子束辐照下，LED的主波长发生了漂移，色纯度提高，光通量、光效都有所降低，并且发现电子束辐照会引起LED芯片量子阱中的原子位移，非复合型复合，降低少子寿命。
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