【摘 要】
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基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款“10-Gbps跨阻放大器（TIA）”芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V～3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压为1.2 V,
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院,武汉烽火通信有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金(61574102,61404094);中央高校基本科研基金(2042016kf0189,2042015kf0174,2042014kf0238);湖北省自然科学基金(2014CFB694);湖北省科技支撑计划(2015CFB536)
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基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款“10-Gbps跨阻放大器（TIA）”芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V～3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压为1.2 V,温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 d B,具有良好的性能。应用该带隙基准电压源完成了TIA芯片中偏置电路模块的设计,该偏置电路除了提供偏置电流外,还具备带宽调节功能,可实现对TIA输出电压信号带宽进行7.9 GHz、8.9 GHz、9.8 GHz和10.1 GHz四档调节,提
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