【摘 要】
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本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,中国科学院西安光学精密机
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本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 η=1 3 .6% ,开路电压 Voc=2 2 3 0 m V,短路电流密度 Jsc=1 2 .6m A/ cm2 .
In this paper, the homemade L P-MOCVD device was used to epitaxially grow the Ga In P2 / Ga As / Ge solar cell structure sheet, and the X-ray diffraction analysis of the cell material was carried out.In addition, the secondary ion mass spectrometer Structure of the cross-sectional curve of laminated solar cells made with this material, under the conditions of AMO photoelectric conversion efficiency η = 13.6%, open circuit voltage Voc = 2230 mV, short-circuit current density Jsc = 12.6m A / cm2.
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