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用扫描电镜、透射电镜和二次离子质谱研究了硅外延片中的Ｓ坑缺陷。在Ｓ坑缺陷中观察到一种线度比通常Ｓ坑更大的浅底坑缺陷。研究表明Ｓ坑缺陷分布在３～４μｍ深的外延表面层中，其结构为位错缠结及带有杂质沉淀的缺陷团。Ｓ坑缺陷起因于金属杂质的沾污。
硅外延S坑缺陷的研究
【摘 要】
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用扫描电镜、透射电镜和二次离子质谱研究了硅外延片中的Ｓ坑缺陷。在Ｓ坑缺陷中观察到一种线度比通常Ｓ坑更大的浅底坑缺陷。研究表明Ｓ坑缺陷分布在３～４μｍ深的外延表面层中，其结构为位错
【机 构】
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上海市计量测试技术研究院,上海微电子分析测试重点实验室,复旦大学材料科学研究所,上海硅材料厂
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1999年02期
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