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就压控振荡器设计中如何实现低功耗和低相位噪声的问题，提出了一种改进型自开关偏置设计方法，在减小尾部偏置晶体管闪烁噪声的同时，抑制了负阻管1/f噪声的变频转化，有效地改善了带内相位噪声；同时采用线性区偏置和电流复用，实现低电源电压供电和低功耗，电路采用0.18μm标准CMOS工艺实现。通过对线性度、噪声和功耗的仿真测试，结果显示了设计的正确性。