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利用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了Cu掺杂的A-TiO2的电子结构和光学性质.结果表明,p型Cu掺杂会在禁带中引入杂质能级,同时杂质能级的数目随着掺杂Cu原子的增加而增多.由于杂质能级的出现,掺杂体系的禁带宽度变宽但有效禁带宽度降低,电子从低能级向高能级跃迁所需的光子能量变小,掺杂体系吸收谱的吸收峰发生明显的红移.掺杂体系在可见光区（680nm处）出现新的吸收峰,当Cu原子掺杂摩尔分数为4.17%时,A-TiO2对可见光的净吸收最优,可有效提升A-TiO2光催化剂的性能.可为制备高效的TiO2半导