【摘 要】
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将稀土配合物Eu(asprin)3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/Al(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/Al(2)的电致发光(EL)器件.发现二者的电致发光谱
【机 构】
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北方交通大学光电子技术研究所信息存储、显示与材料开放实验室,北京大学稀土材料化学及应用国家重点实验室
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将稀土配合物Eu(asprin)3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/Al(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/Al(2)的电致发光(EL)器件.发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu3+的位于594 nm(5D0→7F1)和614 nm(5D0→7F2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu3+位于614 nm的发光,594 nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致.并针对此现象进行了初
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