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介绍L波段、低偏置电压下工作的自对准InGaP／GaAs功率异质结双极晶体管的研制．在晶体管制作过程中采用了发射极一基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性．功率测试结果显示：当器件工作在AB类，工作频率为2GHz，集电极偏置电压仅为3V时，尺寸为2×(3μm×15μm)×12的功率管获得了最大输出功率为23dBm，最大功率附加效率为45％，线性增益为10dB的良好性能．