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,0.6-eV bandgap In0.69Ga0.31As thermophotovoltaic devices with compositionally undulating step-grade
【机 构】
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Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chin
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2013年2期
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