多孔硅的微结构对其Raman谱的影响

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong422

【摘要】

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用场发射扫描电子显微镜研究了用直流化学腐蚀和脉冲电化学腐蚀方法制备的多孔硅(PS)的微结构,观察并测试了孔洞的垂直度、深度以及洞宽(直径),对PS的纵向微结构进行了二次电

【作者】

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刘小兵史向华柳毅柳玥王行军丁训民侯晓

【机构】

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长沙电力学院,复旦大学

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

多孔硅场发射扫描电镜 RAMAN谱微结构 porous siliconfield emission scanning electronmicroscopeR

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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用场发射扫描电子显微镜研究了用直流化学腐蚀和脉冲电化学腐蚀方法制备的多孔硅(PS)的微结构,观察并测试了孔洞的垂直度、深度以及洞宽(直径),对PS的纵向微结构进行了二次电子图像和背散电子图像的分析.使用高灵敏的共焦显微Raman系统研究了纵向的Raman谱,同时分析了微结构对纵向Raman效应的影响.

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