【摘 要】
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用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结，得到的主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性；由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微
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用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结，得到的主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性；由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半无限晶体构成的Ｓｉ一ＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ．
The main results obtained from the Si-GaP (110) heterojunction using self-consistent semi-empirical tight-binding method, localized charge-neutral conditions and scattering theory are that GaP and Si have similar electronic properties; The interface formed shows only weak perturbation of the interaction with the corresponding body; the interface potential caused by the Si-GaP interface state is different from other heterojunction at the Si / GaP (110) interface; the two half The bandgap of the Si-GaP (110) heterojunction made of infinite crystals is 0.43 eV.
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