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介绍GaAs／AlAs／InGaAs双势垒超晶格薄膜结构的介观压阻效应以及几种基于此效应的新型传感器件。阐述介观压阻效应的四个过程，结合空气桥结构和欧姆接触技术，在[001]晶向半绝缘GaAs衬底上加工出来了GaAs／A1As／InGaAs共振隧穿结构（Resonant tunneling structures，RTS），并对其进行了加压试验研究，发现其介观压阻灵敏度达到2．54×10^-9Pa^-1，是硅压阻灵敏度的一个数量级以上。采用控制孔技术成功加工出了基于RTS的圆膜压力、四梁加速度和仿