【摘 要】
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在分析了双层多晶硅FLOTOXEEPROM各种失效模式后，从理论上提出了提高EEPROM可靠性的各种措施。提高隧道氧化层和多晶硅之间氧化层的质量，减小擦／写电压和擦／写时间，减小隧道氧化层
【机 构】
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华晶电子集团公司中央研究所!无锡，214035,华晶电子集团公司中央研究所!无锡，214035,东南大学微电子中心!南京，210096
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在分析了双层多晶硅FLOTOXEEPROM各种失效模式后，从理论上提出了提高EEPROM可靠性的各种措施。提高隧道氧化层和多晶硅之间氧化层的质量，减小擦／写电压和擦／写时间，减小隧道氧化层的面积，都是提高EEPROM可靠性的有效措施。
After analyzing various failure modes of double-layer poly-silicon FLOTOXEEPROM, various measures to improve the reliability of EEPROM are put forward theoretically. Improving the quality of the oxide layer between the tunnel oxide layer and the polysilicon, reducing the erase / write voltage and erase / write time, and reducing the area of the tunnel oxide layer are all effective measures to improve the reliability of the EEPROM.
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