【摘 要】
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本文利用蒙特卡罗模拟给出了电子束光刻中 30、50、100 keV 电子束垂直入射到厚衬底硅上的薄膜(0.4μm)电子抗蚀剂聚甲基丙烯酸甲酯聚合物(PMMA)中的能量耗散剖面,模拟了理想
【机 构】
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中国科学院半导体所,中国原子能科学院
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本文利用蒙特卡罗模拟给出了电子束光刻中 30、50、100 keV 电子束垂直入射到厚衬底硅上的薄膜(0.4μm)电子抗蚀剂聚甲基丙烯酸甲酯聚合物(PMMA)中的能量耗散剖面,模拟了理想点源和高斯圆束点源电子束情况下的膜中的径向散射和能耗,包括来自衬底的背散射,计算的电子数为三万到五万个。
In this paper, we use Monte Carlo simulation to show that the thin film (0.4μm) electronic resist polymethylmethacrylate polymer (PMMA) with 30,50,100 keV electron beam perpendicularly incident on thick substrate silicon in electron beam lithography ), Which simulates the backscattering and energy dissipation in the film with ideal point source and Gaussian beam point source electron beam, including the backscattering from the substrate, the calculated electron number is thirty thousand to Fifty thousand
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