HL—1M装置高气压分子束注入下边缘等离子体结构

来源 :核聚变与等离子体物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户:btbsh023
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在HL-1M装置的高气压分子束流注入加料实验中,利用提高注入口气源的气压来提高超声分子束流的速度和增加入射的粒子密度,从而改变了边缘电场、等离子体旋转速度和边缘静电雷诺胁强.利用马赫/郎缪尔探针组测量了HL-1M装置刮离层的边缘雷诺胁强、等离子体极向旋转、径向和极向电场的变化.实验结果表明:随着分子束流速度和粒子密度的增加,延伸了分子束流的注入深度,提高了注入速度和效率.
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