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本文总结了Ⅱ-Ⅴ族锑化物半导体材料的进展,其中包括生长的物理化学原理和主要工艺,介绍了主要的锑化物体单晶、薄膜和结构材料,并列举了它们的性质以及这些材料应用于光电器件方面的最新结果.
Ⅲ—Ⅴ族锑化物半导体材料
【摘 要】
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本文总结了Ⅱ-Ⅴ族锑化物半导体材料的进展,其中包括生长的物理化学原理和主要工艺,介绍了主要的锑化物体单晶、薄膜和结构材料,并列举了它们的性质以及这些材料应用于光电器
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所上海（200050）,上海（200050）
【出 处】
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广东有色金属学报
【发表日期】
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1992年2期
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