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氢等离子体对(Pt及其硅化物)/Si界面的杂质/缺陷态和势垒的影响
氢等离子体对(Pt及其硅化物)/Si界面的杂质/缺陷态和势垒的影响
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dengdq123
【摘 要】
:
存在于(Pt及其硅化物)/Si界面的深能级缺陷常常会影响器件的性能。本文主要讨论氢等离子体对(Pt及其硅化物)/Si界面深能级杂质缺陷的钝化作用及对其Schottky势垒的影响。
【作 者】
:
丁孙安
许振嘉
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1994年6期
【关键词】
:
硅
界面
杂质
氢等离子体
缺隐态
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存在于(Pt及其硅化物)/Si界面的深能级缺陷常常会影响器件的性能。本文主要讨论氢等离子体对(Pt及其硅化物)/Si界面深能级杂质缺陷的钝化作用及对其Schottky势垒的影响。
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