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一般认为绝缘体的磁性是由半充满d壳层或f壳层的离子引起的．爱尔兰的科学家发现：一种在纳米电子器件中熟知的介电层——绝缘氧化物HfO2(氧化铪)，即使不掺杂也呈现铁磁性．这对现有的绝缘体磁性理论提出了新的课题，因为无论是铪离子Hf^4+还是氧离子O^2-都不是磁性离子，Hf^4+的d壳层和f壳层不是全满就是全空．