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基于nBn结构的InAsSb器件具有扩散电流极限低、造价低廉、容易实现大面阵以及可兼容现有III--V族二极管电路等诸多优点,是小型化、低功耗、低成本、高分辨率中长波探测器的首选之一。在InAsSb材料的外延生长过程中,As的组分很难精确控制。为了找到允许的误差范围,研究了用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)工艺生长InAsSb材料过程中As组分对材料表面形貌、晶格质量以及器件截止波长等方面的影响。试验结果表明,在保证材料外延厚度小于临界厚度的前提下,材料对压应力的容忍程度