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利用金属蒸气真空弧离子源,将硅和铒离子先后注入到单晶硅中,经快速退火制备出(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜.RBS分析表明铒原子分数接近10%,即原子浓度约1021 cm-3.XRD分析发现,随着Er注量增加,退火态样品中ErSi2相增多.显微结构分析表明,注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌.而这些结构变化将直接决定了(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光.