(Si,Er)双注入单晶硅近红外光发射

来源 :北京师范大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xieke594112
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
利用金属蒸气真空弧离子源,将硅和铒离子先后注入到单晶硅中,经快速退火制备出(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜.RBS分析表明铒原子分数接近10%,即原子浓度约1021 cm-3.XRD分析发现,随着Er注量增加,退火态样品中ErSi2相增多.显微结构分析表明,注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌.而这些结构变化将直接决定了(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光.
其他文献
我们过去把经络分为血管性经络与非血管性经络两大类型[1-2],非血管经络是存在于皮肤中的主要的针刺信号传递通路,称之为皮肤信息通路[3]。
给出了受驱动logistic映射的倍环面分岔数p与驱动频率ω之间的标度关系,并详细讨论了系统参数对环面分岔的影响,获得了环面的倍分岔中断机制及标度率.