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延伸摩尔定律的应变硅技术
延伸摩尔定律的应变硅技术
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chinalaobi
【摘 要】
:
应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore’s Law)的重要技术手段之一。综述了应变硅技术的发展及趋势。首先,从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响;然后介绍了现有的各种应变
【作 者】
:
王敬
【机 构】
:
清华大学微电子学研究所,清华信息科学与技术国家实验室筹
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
2008年01期
【关键词】
:
CMOS
应变硅
迁移率增强
源/漏工程
应力帽层
绝缘体上应变硅
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应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore’s Law)的重要技术手段之一。综述了应变硅技术的发展及趋势。首先,从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响;然后介绍了现有的各种应变硅技术;最后,分析了应变硅技术的发展趋势。
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