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基于非选择性外延，自对准注入技术，集电区选择性注入和快速热退火工艺，提出了一种适用于1．5μmBiCMOS集成技术的SiGeHBT器件结构。该结构具有内基区薄，外基区厚，B／E结两侧杂质浓度低，发射极／基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真。结果表明，所设计的的SiGeHBT具有良好的电学特性，其最大电流增益为210，当Vα=2．5V时，截止频率达到65GHz，验证了器件结构设计的合理性。