【摘 要】
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通过对MOS器件的静电应力试验以及监测试验过程中电参数和 1/f 噪声的变化,发现 1/f 噪声对于由静电应力引起的潜在损伤要比电参数的变化敏感得多.在同样的静电应力条件下,1/
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通过对MOS器件的静电应力试验以及监测试验过程中电参数和 1/f 噪声的变化,发现 1/f 噪声对于由静电应力引起的潜在损伤要比电参数的变化敏感得多.在同样的静电应力条件下,1/f 噪声的相对变化量比跨导的相对退化量大6倍以上.分析表明,起源于边界陷阱的 1/f 噪声对于静电诱发的氧化层电荷和界面陷阱两类缺陷同时敏感,而电参数的变化主要取决于其中一类缺陷.因此,1/f 噪声的测试可以作为一种经济、有效、完全非破坏性的工具,检测静电引起的MOS器件潜在损伤.
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