【摘 要】
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以SiCl4-NH3-H2为前驱体,在750~1250℃范围内通过低压化学气相沉积技术于碳纤维布上制备氮化硅涂层,系统研究了沉积温度对氮化硅涂层的生长动力学、形貌、化学组成和结合态的
【机 构】
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上海师范大学化学与材料科学学院,中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院大学
【基金项目】
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National Key Research and Development Program of China(2016YFB0700202),National Natural Science Foundation of China(51872310),Chinese Academy of Science(QYEDY-SSW-JSC031)
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以SiCl4-NH3-H2为前驱体,在750~1250℃范围内通过低压化学气相沉积技术于碳纤维布上制备氮化硅涂层,系统研究了沉积温度对氮化硅涂层的生长动力学、形貌、化学组成和结合态的影响。研究结果表明,在沉积温度低于1050℃的情况下,随着沉积温度的升高,沉积速率单调增大。而当沉积温度高于1050℃时,沉积速率随温度升高逐渐下降。在整个沉积温度范围内,随着沉积温度的升高,涂层表面形态逐渐向菜花状转变,同时涂层表面变得愈加粗糙。涂层的最佳沉积温度在750~950℃之间。随着沉积温度的升高,涂层中氮含量先降低
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